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一般セッション(ポスター講演)

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[29p-PA2-1~10] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2013年3月29日(金) 13:30 〜 15:30 PA2 (第一体育館)

ポスター掲示時間13:30〜15:30(PA会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[29p-PA2-1] InAs/AlGaSbヘテロ構造の分子線エピタキシャル成長と高誘電率ゲート材料を用いたHFETの製作 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○森口航平，西坂和一，前元利彦，尾形健一，佐々誠彦 (大阪工大)

[29p-PA2-2] 表面活性化ボンディングによるSi/GaAsヘテロ接合のバンド構造評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○梁剣波，宮崎達也，西田将太，森本雅史，重川直輝 (大阪市立大)

[29p-PA2-3] GaNホモエピへのBeイオン注入の基礎検討 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○石田祐也¹，及川拓弥¹，野本一貴²，金田直樹³，土屋忠義³，三島友義³，中村徹¹ (法政大理工¹，ノートルダム大²，日立電線³)

[29p-PA2-4] オゾン酸化を用いたAlGaN/GaNのサブnmステップバイステップエッチング (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○武井優典¹，神谷真行¹，寺山一真¹，米澤宏昭¹，筒井一生¹，角嶋邦之¹，アヘメトパールハット²，服部健雄²，岩井洋² (東工大総理工¹，東工大フロンティア研²)

[29p-PA2-5] 半絶縁性GaN 基板上AlGaN/GaN HEMT のDC/パルス特性 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○南條拓真，今井章文，鈴木洋介，岡崎拓行，吹田宗義，中村茉里香，柳生栄治，大路浩 (三菱電機先端総研)

[29p-PA2-6] GaN-HEMTスイッチング回路の放射ノイズ特性評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○井手利英¹，鍛冶良作¹，清水三聡¹，水谷研治²，上野弘明²，大塚信之²，上田哲三²，田中毅² (産総研先進パワエレ¹，パナソニック²)

[29p-PA2-7] 市販200V級GaN-HEMTとSi-SJMOSFETのスイッチング損失分析 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（M2）南智也¹，長南紘志²，井手利英²，清水三聡²，三浦登¹ (明大院理工¹，産総研先進パワエレ²)

[29p-PA2-8] 透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いたゲート電極直下の変動要因探査 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○成田知隆，分島彰男，江川孝志 (名工大)

[29p-PA2-9] デバイスシミュレーションによるAlGaN/GaN HEMTのドレインリーク解析 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○大石敏之¹，林一夫¹，加茂宣卓¹，山口裕太郎¹，大塚浩志¹，山中宏治¹，中山正敏¹，宮本恭幸² (三菱電機¹，東工大²)

[29p-PA2-10] バイアスアニールを施したn型GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の解析 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

竹下浩司，^○中村成志，奥村次徳 (首都大理工)