[29p-PB3-1~6] 13.7 シミュレーション

2013年3月29日(金) 13:30 〜 15:30 PB3 (第二体育館)

ポスター掲示時間13:30〜15:30(PB会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

[29p-PB3-1] 第一原理計算による抵抗変化型メモリ材料 ZrO2へのドーピング評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○大島翔太，岩松雅夫，丸泉琢也，白木靖寛 (都市大)

^○（M1）永井寛人，中野貴史，三好泰諒，小川真人，相馬聡文 (神戸大院工)

^○（P）服部淳一^1,3，宇野重康^2,3 (立命館大総研¹，立命館大理工²，JST, CREST³)

^○鎌倉良成^1,2，インドラアディスシロ¹，久木田健太郎¹ (大阪大院工¹，JST CREST²)

^○山田大輔¹，工藤嗣友¹，菅原文彦² (神奈川工大¹，東北学院工大²)

^○（M1）島田健太¹，白木靖寛¹，丸泉琢也¹，早川幸一¹，高橋陽祐²，佐藤満弘²，山口憲³ (都市大¹，北見工大²，アドバンスソフト³)