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15．結晶工学 » 15.6 IV族系化合物

[29p-PB4-1~25] 15.6 IV族系化合物

2013年3月29日(金) 13:30 〜 15:30 PB4 (第二体育館)

ポスター掲示時間13:30〜15:30(PB会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[29p-PB4-1] みなし150mmφ4H-SiC C面へのエピ膜成長 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○西尾譲司^1,2，工藤千秋^1,3，田村謙太郎^1,4，児島一聡^1,5，大野俊之^1,6 (FUPET¹，東芝　²，パナソニック³，ローム⁴，産総研⁵，日立製作所⁶)

[29p-PB4-2] ▲HRXRD分析による高Al濃度4H-SiC厚膜の結晶構造評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（PC）紀世陽¹，児島一聡¹，石田夕起¹，加藤智久¹，吉田貞史¹，土田秀一²，奥村元¹ (産業技術総合研究所¹，電力中央研究所²)

[29p-PB4-3] SiC中の螺旋転位の構造及び電子状態に関する理論的研究(II) (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○山崎隆浩¹，奈良純²，甲賀淳一朗³，宇田毅³，黒田明義⁴，南一生⁴，大野隆央^2,5 (富士通研¹，物材機構²，ASMS³，理研⁴，東大生研⁵)

[29p-PB4-4] △4H-SiC（0001）Si面上の局所的ステップバンチング発生原因の解析 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○佐々木雅之¹，田村謙太郎¹，迫秀樹¹，北畠真¹，児島一聡^1,2，松畑洋文^1,2 (フューペット¹，産総研²)

[29p-PB4-5] 二種類の波長を用いたSiC表面凹凸の定量的非接触評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○山田厚輔，江龍修 (名工大)

[29p-PB4-6] 捕獲電荷を考慮したSiO₂/SiC界面準位の評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○山田敬一¹，石山修¹，下里淳²，先崎純寿^1,2，松畑洋文^1,2，北畠真¹ (ＦＵＰＥＴ¹，産総研²)

[29p-PB4-7] CMPにて平坦化した4H-SiCエピ表面のゲート絶縁膜信頼性 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○山田敬一¹，石山修¹，田村謙太郎¹，山下任¹，下里淳²，加藤智久^1,2，先崎純寿^1,2，松畑洋文^1,2，北畠真¹ (ＦＵＰＥＴ¹，産総研²)

[29p-PB4-8] SiC熱酸化過程でのSiO₂膜におけるカーボンオキサイド拡散機構の理論的検討 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○秋山亨¹，中村浩次¹，伊藤智徳¹，影島博之²，植松真司³ (三重大院工¹，NTT物性基礎研²，慶大理工³)

[29p-PB4-9] 4H-SiCエピ膜中積層欠陥への熱酸化の影響について (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○宮野祐太郎，矢口裕之，土方泰斗，八木修平 (埼玉大工)

[29p-PB4-10] 4H-SiC熱酸化膜のUVおよび酸素ラジカル処理による改質 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○佐藤旦¹，黒木伸一郎¹，石川誠治^1,2，前田知徳^1,2，瀬崎洋^1,2，吉川公麿¹ (ナノデバイス¹，フェニテックセミコン²)

[29p-PB4-11] 大気圧熱プラズマジェット照射によるSiCウェハ中不純物の短時間活性化 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○芦原龍平，花房宏明，村上秀樹，林将平，小柳俊貴，丸山佳祐，東清一郎 (広大院先端研)

[29p-PB4-12] 4H-SiCSBD逆方向リーク電流の犠牲酸化による低減効果 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○石川誠治^1,2，前田知徳^1,2，瀬崎洋^1,2，黒木伸一郎¹，吉川公麿¹ (広島大ナノデバイス・バイオ融合科学研究所¹，フェニテックセミコンダクター²)

[29p-PB4-13] 4H-SiC MOSキャパシタにおける絶縁破壊電界のLETおよび膜厚依存性 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○出来真斗^1,2，牧野高紘¹，富田卓朗²，児島一聡³，大島武¹ (原子力機構¹，徳島大²，産総研³)

[29p-PB4-14] 室温近傍でのプラズマ酸化によるSiO₂/SiC界面でのC原子の偏析 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○齋藤直樹，今福亮斗，西川央明，佐野泰久，川合健太郎，打越純一，森田瑞穂，有馬健太 (阪大院工)

[29p-PB4-15] SiCパワーモジュール高温BiAgXダイアタッチメントの信頼性 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○谷本智^1,2，渡辺衣世¹，谷澤秀和^1,3，松井康平^1,4，佐藤伸二^1,3 (FUPET研究センター¹，日産自動車²，サンケン電気³，富士⁴)

[29p-PB4-16] SiCパワーモジュールのΔTj=165℃パワーサイクル試験 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○谷本智^1,2，渡辺衣世¹，谷澤秀和^1,3，佐藤伸二^1,3，松井康平^1,4 (FUPET研究センター¹，日産自動車²，サンケン電気³，富士電機⁴)

[29p-PB4-17] 部分的アモルファス化によるn+ 4H-SiC上のNiシリサイド・オーミック抵抗低減の研究 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（B）デシルワミランタ，黒木伸一郎，佐藤旦 (広島大)

[29p-PB4-18] P添加アモルファスSi結晶化層を介した金属とSiCのコンタクト特性 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○花房宏明，芦原龍平，丸山佳祐，水野翼，林将平，村上秀樹，東清一郎 (広大院先端研)

[29p-PB4-19] SiC-MOSFETへのCu電極適用 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○岡部博明，吉田基，富永貴亮，藤田淳，遠藤加寿代，横山吉典，西川和康，豊田吉彦，山川聡 (三菱電機)

[29p-PB4-20] △表面活性化ボンディング法によるSi/4H-SiC 接合のC-V 特性評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（B）西田将太¹，梁剣波¹，宮崎達也¹，森本雅史¹，重川直輝¹，新井学² (大阪市大工¹，新日本無線²)

[29p-PB4-21] 4H-SiCへの高ドーズAlイオン注入における注入条件の最適化 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○吉田謙一，長町信治 (イオンテクノセンター)

[29p-PB4-22] SiC表面に作製したナノ微細構造の解析 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○川口優作¹，永利一幸²，江龍修¹ (名工大院¹，フジミインコーポレーテッド²)

[29p-PB4-23] 4H-SiCエピタキシャル層中のショックレー型積層欠陥の構造評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○中村勇，清井明，田中貴規，山本茂久 (三菱電機)

[29p-PB4-24] CL像測定と蛍光寿命測定による4H-SiCの欠陥評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○清水智也¹，青山淳一¹，馬場洋樹¹，粟田正吾¹，中庸行¹，畑山智亮² (堀場製作所¹，奈良先端大²)

[29p-PB4-25] フェムト秒レーザー照射における6H-SiC基板の表面変質と透過光測定 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○宮川鈴衣奈，江龍修 (名工大院)

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