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一般セッション(口頭講演)

06．薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[30a-F2-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2013年3月30日(土) 09:00 〜 11:45 F2 (E3号館 3F-303)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[30a-F2-1] CAAC-IGZO TFT技術を応用したNOSRAMのMultilevel Cell実現の可能性 (9:00 AM ～ 9:15 AM)

^○井上広樹，石津貴彦，松嵜隆徳，大貫達也，熱海知昭，塩野入豊，加藤清，小山潤，山﨑舜平 (半導体エネルギー研究所)

[30a-F2-2] C-Axis Aligned Crystalline In-Ga-Zn-Oxide Flip Flopを実装した低消費電力8bitプロセッサ (9:15 AM ～ 9:30 AM)

^○前田修平，小林英智，大嶋和晃，米田誠一，西島辰司，王丸拓郎，戸松浩之，古谷一馬，石山貴久，附田一起，熱海知昭，塩野入豊，加藤清，前橋幸男，小山潤，山﨑舜平 (半導体エネルギー研究所)

[30a-F2-3] MoOx抵抗変化メモリにおけるスイッチング特性とTEM内同時観察 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○工藤昌輝，大野裕輝，高見澤圭佑，浜田弘一，有田正志，高橋庸夫 (北大院情報)

[30a-F2-4] プラズマアシスト蒸着法を用いたモリブデン酸化物薄膜の形成 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○多田昂介，斉藤由希恵，一戸隆久 (東京高専)

[30a-F2-5] AFM電界酸化法を用いた超微細横型抵抗変化メモリの作製と動作特性 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○木下健太郎^1,2，福原貴博¹，岸田悟^1,2 (鳥取大工¹，鳥取大工ディスプレイセンター²)

[30a-F2-5.1] 休憩(15分)

[30a-F2-6] △α-(Cr_xFe_1-x)₂O₃薄膜の半導体光電極評価 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○（M2）増子尚徳¹，宋浚太¹，岩崎孝之¹，波多野睦子¹，大島孝仁¹，大友明^1,2,3 (東工大院理工¹，JST-ALCA²，元素戦略³)

[30a-F2-7] 太陽電池応用に向けた超音波噴霧ミストCVD法によるp型Cu₂O薄膜の作製と評価 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○池之上卓己，山口大翔，坂本眞一，乾義尚 (滋賀県大工)

[30a-F2-8] 電気化学成長Cu₂O薄膜の結晶性における電解液pH依存性 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○佐藤俊祐，芦田淳，吉村武，藤村紀文 (阪府大院工)

[30a-F2-9] 多元系酸化物薄膜をn形半導体層に用いたCu₂O系ヘテロ接合太陽電池 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○西祐希，宮田俊弘，南内嗣 (金沢工大 OEDS R&D センター)

[30a-F2-10] 熱酸化Cu₂Oシートを用いるAZO/Ga₂O₃/Cu₂Oヘテロ接合太陽電池の高効率化 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○西祐希，宮田俊弘，南内嗣 (金沢工大 OEDS R&D センター)