[30a-G12-1~15] 17.1 成長技術

2013年3月30日(土) 09:00 〜 13:00 G12 (B5号館 2F-2206)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

[30a-G12-1] アルコールCVDグラフェン直接成長とショットキー特性の評価 (9:00 AM ～ 9:15 AM)

^○溝口雅裕¹，張剣輝²，中村篤志²，天明二郎^1,2 (静大工¹，電子研²)

^○石戸亮祐¹，鴨井督¹，金廷坤¹，蓮池紀幸¹，木曽田賢治²，播磨弘¹ (京都工芸繊維大¹，和歌山大²)

^○寺澤知潮¹，斉木幸一朗^1,2 (東大院理¹，東大院新領域²)

^○吾郷浩樹^1,2，宮下雅大²，田中伊豆美¹，小川友以²，辻正治^1,2 (九大先導研¹，九大院総理工²)

^○（M2）澤部亮介¹，山崎雄一²，佐久間尚志²，片桐雅之²，和田真²，北村政幸²，梶田明広²，酒井忠司²，粟野祐二¹ (慶大院理工¹，超低電圧研究組合²)

^○Subash Sharma，Golap Kalita，Ayhan Emre，Ryo Hirano，Masaki Tanemura (名工大)

^○加藤隆一¹，津川和夫¹，山田貴壽^1,2，長谷川雅考^1,2 (TASCグラフェン事業部¹，産総研ナノチューブ²)

^○近藤大雄，中野美尚，林賢二郎，周波，久保田一郎，山口淳一，佐藤信太郎，横山直樹 (産総研GNC)

^○林賢二郎，山田綾香，佐藤信太郎，横山直樹 (産総研GNC)

^○（DC）井上仁人¹，寒川義裕^1,2，影島博之³，柿本浩一^1,2 (九大院工¹，九大応力研²，NTT物性研³)

^○チェンダースレイ，田中悟 (九大院工)

^○栗栖悠輔¹，田中悟¹，中辻寛²，小森文夫² (九大院工¹，東大物性研²)

^○萩原好人，梶原隆司，中森弓弦，アントンビシコフスキー，田中悟 (九大工院)

^○林真吾，アントンビシコフスキー，梶原隆司，田中悟 (九大院工)

^○日比野浩樹¹，影島博之¹，河原憲治²，吾郷浩樹² (NTT物性基礎研¹，九大²)