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一般セッション(口頭講演)

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.2 超薄膜・量子ナノ構造

[30a-G20-1~15] 14.2 超薄膜・量子ナノ構造

2013年3月30日(土) 09:00 〜 13:00 G20 (B5号館 4F-2404)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[30a-G20-1] メンブレン電気機械振動子を用いたフォノニック導波路 (9:00 AM ～ 9:15 AM)

^○畑中大樹，イムランマブーブ，小野満恒二，山口浩司 (NTT物性研)

[30a-G20-2] GaAs微小機械共振器間のパラメトリック強結合 (9:15 AM ～ 9:30 AM)

^○岡本創，アーメットタスピナー，イムランマブーブ，山口浩司 (NTT物性基礎研)

[30a-G20-3] GaAs量子井戸における正孔スピン重ね合わせ状態のダイナミクス評価 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○伊藤哲¹，後藤秀樹²，市田正夫³，安藤弘明³ (静岡大若手グローバル¹，NTT物性科学基礎研²，甲南大院自然³)

[30a-G20-4] InGaAs系結合量子井戸のフォトリフレクタンス評価 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○今井啓太¹，勝山俊夫¹，牛頭信一郎²，物集照夫² (福井大・院工¹，産総研²)

[30a-G20-5] ▼Silicon Nanodisk Intermediate Band Solar Cell (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○胡衛国^1,2，五十嵐誠^1,2，モハマドエルマンファウジ^1,2，肥後昭男⁴，李明義³，李義明^3,4，寒川誠二^1,2,4 (東北大流体研¹，JST-CREST²，台湾国立交通大³，東北大WPI-AIMR⁴)

[30a-G20-6] Ar:Cl₂ mixture ratio study on Neutral Beam etching of GaAs (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○Cédric Thomas^1,3，田村洋典^1,3，五十嵐誠^1,3，Mohd Erman Fauzi^1,3，肥後昭男²，胡衛国^1,3，久保田智広¹，寒川誠二^1,2,3 (東北大流体研¹，東北大WPI-AIMR²，JST-CREST³)

[30a-G20-7] △バイオテンプレート極限加工による直径制御GaAsナノディスクの作製とその発光特性 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○田村洋典^1,2，五十嵐誠^1,2，Cédric Thomas^1,2，Mohd Erman Fauzi^1,2，胡衛国^1,2，肥後昭男³，塚本里加子^1,2，海津利行^2,4，星井拓也^2,5，木場隆之^2,6，山下一郎^2,7，岡田至崇^2,5，村山明宏^2,6，寒川誠二^1,2,3 (東北大流体研¹，JST-CREST²，東北大WPI-AIMR³，神戸大院工⁴，東大先端研⁵，北大情報科学⁶，奈良先端大⁷)

[30a-G20-7.1] 休憩(15分)

[30a-G20-8] トップダウン加工GaAsナノディスクにおけるキャリアスピン緩和 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○木場隆之^1,6，須崎健太¹，田村洋典^2,6，五十嵐誠^2,6，セドリックトーマス^2,6，胡衛国^2,6，海津利行^3,6，岡田至崇^4,6，寒川誠二^2,5,6，村山明宏^1,6 (北大院情報科学¹，東北大流体研²，神戸大院工³，東大先端研⁴，東北大WPI-AIMR⁵，JST-CREST⁶)

[30a-G20-9] バイオテンプレート極限加工による3次元アレイGaAsナノディスクの作製 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○Mohd Erman Fauzi^1,5，田村洋典^1,5，肥後昭男²，王云鵬³，杉山正和⁴，中野義昭³，寒川誠二^1,2,5 (東北大流体研¹，東北大WPI-AIMR²，東大先端研³，東大工⁴，JST-CREST⁵)

[30a-G20-10] ▲Type-II Germanium Nanodisk for Photovoltaic Applications (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○胡衛国^1,2，五十嵐誠^1,2，Mohd Erman Fauzi^1,2，肥後昭男⁴，李明義³，李義明^3,4，寒川誠二^1,2,4 (東北大流体研¹，JST-CREST²，台湾国立交通大³，東北大WPI-AIMR⁴)

[30a-G20-11] △バイオテンプレート極限加工によるGeナノ構造の作製 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○Mohd Erman Fauzi^1,4，五十嵐誠^1,4，胡衛国^1,4，田村洋典^1,4，和田章良¹，山下一郎³，寒川誠二^1,2,4 (東北大流体研¹，東北大WPI-AIMR²，奈良先端大³，JST-CREST⁴)

[30a-G20-12] 選択エッチングにより作製したGaAs/Air多層膜共振器構造の反射率面内分布 (12:00 PM ～ 12:15 AM)

^○小松秀士¹，中川義典^1,2，森田健¹，北田貴弘¹，井須俊郎¹ (徳島大院フロンティア¹，日亜化学²)

[30a-G20-13] ▲Enhancement of light extraction efficiency by evanescent wave coupling effect in AlGaInP light-emitting diodes (12:15 PM ～ 12:30 AM)

^○Guodong Hao，Xuelun Wang (産総研)

[30a-G20-14] 電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光学特性の評価 (12:30 PM ～ 12:45 AM)

^○熊崎祐介，渡部晃生，神保亮平，谷田部然治，佐藤威友 (北大量集セ)

[30a-G20-15] Geドープシリカ薄膜からの第二次高調波発生 (12:45 PM ～ 1:00 PM)

^○河村息吹，今北健二，藤井稔 (神戸大工)