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一般セッション(口頭講演)

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.1 探索的材料物性

[30a-G7-1~10] 14.1 探索的材料物性

2013年3月30日(土) 09:00 〜 11:45 G7 (B5号館 2F-2201)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[30a-G7-1] Si基板上Mgスパッタ膜のアルゴン雰囲気中アニール処理によるMg(sub>2Si膜の合成 (9:00 AM ～ 9:15 AM)

^○池畑隆，安藤龍哉，山本拓哉，高木雄太，佐藤直幸，鵜殿治彦 (茨城大工)

[30a-G7-2] スパッタリング法によるエピタキシャルMg₂Si膜の作製 (9:15 AM ～ 9:30 AM)

^○片桐淳生¹，小川正太¹，松島正明¹，秋山賢輔^1,2，舟窪浩¹ (東工大院¹，神奈川県産業技術センター²)

[30a-G7-3] スパッタリング法によるMg₂Si膜の作製と評価 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○小川正太¹，片桐淳生¹，松島正明¹，秋山賢輔^1,2，舟窪浩¹ (東工大¹，神奈川産技センター²)

[30a-G7-4] △スパッタリング法によるアモルファスMg₂Si系半導体の作製と評価 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○原昌太，加藤敬，松木伸行，藤原裕之 (岐阜大)

[30a-G7-5] Na₂Mg₃X₂ (X = Sn, Pb)の合成と結晶構造および電気的特性 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○石山亮，山田高広，山根久典 (東北大多元研)

[30a-G7-6] Lu_2(x-1)Tb_2xO₃混晶の結晶成長と光学特性 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○知花優太郎，石若望，小田久哉，成瀬寛峰，山中明生 (千歳科学技術大)

[30a-G7-6.1] 休憩(15分)

[30a-G7-7] 第一原理計算を用いたFドープTiO₂系のキャリア活性化率とTiOF₂生成の熱力学 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○神坂英幸¹，水口菜々子²，山下晃一²，長谷川哲也¹ (東大院理¹，東大院工²)

[30a-G7-8] 酸素雰囲気下における下地元素の膜表面への偏析予測法 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○吉武道子 (物材機構)

[30a-G7-9] AlGaN/GaN基板に形成したTiSi₂コンタクトの熱処理時間依存性 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○岡本真里 (東工大)

[30a-G7-10] 半導体中の光キャリアダイナミクスのイメージング (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○福本恵紀^1,2，山田友輝¹，恩田健^1,3，腰原伸也^1,2 (東工大¹，JST-CREST²，JST-PRESTO³)