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一般セッション(口頭講演)
04.量子エレクトロニクス » 4.3 レーザー装置・材料
[30p-C1-1~8] 4.3 レーザー装置・材料
2013年3月30日(土) 13:00 〜 15:00 C1 (C6号館 1F-106)
△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし
○宮本克彦1,水津光司2,斎藤岳史1,秋葉卓也2,尾松孝茂1,3 (千葉大院融合1,千葉工大工2,JST-CREST3)
○岡直哉,伊藤健吾,金子武,石川雄一,曽田武敏,金田有史,古川保典 (オキサイド)
○折井庸亮,多久島裕一,山垣美恵子,東谷旦,松原聖治,岡田穣治 (スペクトロニクス)
○(PC)大間知潤子1,3,吉岡孝高2,3,五神真1,2,3 (東大工1,東大理2,CREST(JST)3)
○山口大智1,金井輝人2,兵頭政春3,Xiaoyang Wang4,Yong Zhu4,Chuangtian Chen4,渡部俊太郎5,張贇1,岡田佳子1,渡辺昌良1,星遼太1 (電通大先進理工1,東大物性研2,情通機構3,中国科学院4,東理大5)
○増田一稀1,2,高千穂慧1,2,高橋義典1,2,今出完1,2,吉村政志1,佐々木孝友2,森勇介1,2 (阪大院工1,CREST-JST2)
○(P)小菅淳,岡田大,永島圭介,森道昭 (日本原子力研究開発機構 関西光科学研究所)
○松本翔1,安原亮2,河仲準二1 (阪大レーザー研1,核融合研2)