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一般セッション(口頭講演)

15．結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[30p-G21-1~7] 15.4 III-V族窒化物結晶

2013年3月30日(土) 13:15 〜 15:00 G21 (B5号館 4F-2405)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[30p-G21-0] 昼食(75分)

[30p-G21-1] 発光色の異なるナノコラムLEDの一体集積化 (1:15 PM ～ 1:30 PM)

^○柳原藍¹，池田恭一¹，岸野克巳^1,2 (上智理工¹，上智ナノテク研²)

[30p-G21-2] InGaN-LEDの光出力におけるナノ構造サファイア加工基板のコラム高さ依存性 (1:30 PM ～ 1:45 PM)

^○江上卓也¹，三好清太¹，井本良¹，岡田成仁¹，只友一行¹，西宮智靖²，平本道広²，本山慎一² (山口大院理工¹，サムコ²)

[30p-G21-3] 高輝度表面入射型パルス電子銃を搭載した時間空間分解カソードルミネッセンス装置によるHVPE成長GaN基板の評価 (1:45 PM ～ 2:00 PM)

^○石川陽一¹，古澤健太郎¹，田代公則¹，羽豆耕治¹，長尾哲²，池田宏隆²，藤戸健史²，秩父重英¹ (東北大多元研¹，三菱化学²)

[30p-G21-4] △InGaN/GaN量子井戸面内におけるキャリアの伝播・再結合過程の観測 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○（M1）西川恭平，金田昭男，船戸充，川上養一 (京大院工)

[30p-G21-5] △脱励起光下顕微フォトルミネッセンスによるInGaN/GaN量子井戸のキャリア再結合機構の評価 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○田中優也，金田昭男，船戸充，川上養一 (京大院工)

[30p-G21-6] △InGaN/GaN SQWにおける非輻射再結合のキャリアダイナミクス (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○井上航平¹，金田昭男¹，船戸充¹，川上養一¹，岡本晃一² (京大工¹，九大化²)

[30p-G21-7] △半極性(1122)InGaN/GaN量子井戸における励起子ダイナミクスの井戸幅依存性 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○尾崎拓也，西中淳一，船戸充，川上養一 (京大工)