一般セッション(ポスター講演)

[29p-PB2-1~3] 13.4 配線技術

2013年3月29日(金) 13:30 〜 15:30 PB2 (第二体育館)

ポスター掲示時間13:30〜15:30(PB会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

[29p-PB2-1] O₂およびN₂を添加した高真空スパッタ法でのCuの濡れ性の改善 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○伊藤勝利，飯田浩幸，斉藤茂 (東理科大工)

[29p-PB2-2] 生体のネットワーク解探索機能を活用した配線構造の提案と生体メタライズ (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○近藤英一，渡邉満洋，望月裕文，後藤利章 (山梨大)

[29p-PB2-3] 二段階熱処理法により形成したNiシリサイドナノワイヤの抵抗率形状依存性 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○Jinhan Song¹，松本一輝¹，角嶋邦之²，アヘメトパールハット¹，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，筒井一生²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²)

一般セッション(口頭講演)

[30a-G6-1~11] 13.4 配線技術

2013年3月30日(土) 09:00 〜 12:00 G6 (B5号館 1F-2106)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

[30a-G6-1] 高速AFMによる銅溶解のin situ観察 (9:00 AM ～ 9:15 AM)

^○坂本良介，早瀬仁則 (東京理科大)

[30a-G6-2] マイクロ流路を用いた流れ環境下における銅の溶解観察 (9:15 AM ～ 9:30 AM)

^○作川卓，早瀬仁則 (東京理科大)

[30a-G6-3] 原子間力顕微鏡による希薄電解液中でのCu配線腐食のナノスケール評価 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○尾形奨一郎¹，小林成貴¹，高東智佳子²，嶋昇平²，福永明²，淺川雅³，福間剛士^1,3 (金沢大理工¹，荏原製作所²，金大バイオAFMセ³)

[30a-G6-4] 超臨界流体中Cu薄膜堆積のその場分光エリプソメトリ解析（第3報） (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○近藤英一，五味瞭汰，田部井幸寛，渡邉満洋，金蓮花 (山梨大)

[30a-G6-5] ALD-Co(W)バリヤ膜上に形成したCVD-Cu膜の密着性と初期核発生 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○（M2）嶋紘平，清水秀治，百瀬健，霜垣幸浩 (東大院工)

[30a-G6-5.1] 休憩(15分)

[30a-G6-6] マイクロ波プラズマ励起大口径中性粒子ビームCVDによる高密度な超低誘電率SiCOHの成膜（2） (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○菊地良幸^1,2，和田章良¹，寒川誠二^1,3 (東北大流体研¹，東京エレクトロン技術研²，東北大WPI-AIMR³)

[30a-G6-7] TSV用新規バリヤ材料としてのHfN_x膜の特性 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○佐藤勝，武山真弓，野矢厚 (北見工大)

[30a-G6-8] ビルドアップ工法による微細Cu配線の信頼性 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○池田淳也 (富士通研究所)

[30a-G6-9] ビルドアップ工法によるCu配線の高信頼性を実現するバリア技術 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○神吉剛司，池田淳也，須田章一，小林靖志，中田義弘，中村友二 (富士通研究所)

[30a-G6-10] △ハイブリッドウェハ接合のための水素ラジカル処理 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○青木真由，朴澤一幸，花岡裕子，武田健一 (ASET)

[30a-G6-11] △光電子集積三次元LSIのための高効率光カップラの作製 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○乗木暁博¹，李康旭²，裵志哲²，福島誉史²，田中徹^1,3，小柳光正² (東北大院工¹，東北大未来研²，東北大院医工³)

一般セッション(口頭講演)

[30p-G6-1~6] 13.4 配線技術

2013年3月30日(土) 13:30 〜 15:00 G6 (B5号館 1F-2106)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

[30p-G6-0] 昼食(90分)

[30p-G6-1] 新しいRu-CVD/ALD原料を利用した次世代DRAMキャパシタ用電極形成プロセスの開発 (1:30 PM ～ 1:45 PM)

^○Taewoong Kim，Takeshi Momose，Yukihiro Shimogaki (東大院工)

[30p-G6-2] ▲Formation of Highly Pure Nickel Films by Hot-wire-assisted ALD (1:45 PM ～ 2:00 PM)

^○Guangjie Yuan，Hideharu Shimizu，Takeshi Momose，Yukihiro Shimogaki (東大院工)

[30p-G6-3] ライナー層形成を目的としたアミディネート原料によるCo-CVDプロセスの反応機構解析 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○鈴木雄大，清水秀治，百瀬健，霜垣幸浩 (東大)

[30p-G6-4] MOCVD用新規コバルトアミジネート原料 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○町田英明¹，石川真人¹，須藤弘¹，岩井和俊²，河野有美子² (気相成長¹，東京エレクトロン²)

[30p-G6-5] 新規コバルトアミジネート原料を用いた低抵抗Co成膜 (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○河野有美子²，町田英明¹，石川真人¹，須藤弘¹，岩井和俊²，廣田良浩² (気相成長¹，東京エレクトロン²)

[30p-G6-6] Krスパッタを用いたPtSiの低抵抗化に関する検討 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○吉村泰彦，呉小鵬，吉見聡浩，有馬潤，大見俊一郎 (東工大総理工)

セッション一覧

13．半導体A（シリコン） » 13.4 配線技術