^○田村洋典^1,2，五十嵐誠^1,2，Cédric Thomas^1,2，Mohd Erman Fauzi^1,2，胡衛国^1,2，肥後昭男³，塚本里加子^1,2，海津利行^2,4，星井拓也^2,5，木場隆之^2,6，山下一郎^2,7，岡田至崇^2,5，村山明宏^2,6，寒川誠二^1,2,3 (東北大流体研¹，JST-CREST²，東北大WPI-AIMR³，神戸大院工⁴，東大先端研⁵，北大情報科学⁶，奈良先端大⁷)

[30a-G20-7.1] 休憩(15分)

[30a-G20-8] トップダウン加工GaAsナノディスクにおけるキャリアスピン緩和 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○木場隆之^1,6，須崎健太¹，田村洋典^2,6，五十嵐誠^2,6，セドリックトーマス^2,6，胡衛国^2,6，海津利行^3,6，岡田至崇^4,6，寒川誠二^2,5,6，村山明宏^1,6 (北大院情報科学¹，東北大流体研²，神戸大院工³，東大先端研⁴，東北大WPI-AIMR⁵，JST-CREST⁶)

[30a-G20-9] バイオテンプレート極限加工による3次元アレイGaAsナノディスクの作製 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○Mohd Erman Fauzi^1,5，田村洋典^1,5，肥後昭男²，王云鵬³，杉山正和⁴，中野義昭³，寒川誠二^1,2,5 (東北大流体研¹，東北大WPI-AIMR²，東大先端研³，東大工⁴，JST-CREST⁵)

[30a-G20-10] ▲Type-II Germanium Nanodisk for Photovoltaic Applications (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○胡衛国^1,2，五十嵐誠^1,2，Mohd Erman Fauzi^1,2，肥後昭男⁴，李明義³，李義明^3,4，寒川誠二^1,2,4 (東北大流体研¹，JST-CREST²，台湾国立交通大³，東北大WPI-AIMR⁴)

[30a-G20-11] △バイオテンプレート極限加工によるGeナノ構造の作製 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○Mohd Erman Fauzi^1,4，五十嵐誠^1,4，胡衛国^1,4，田村洋典^1,4，和田章良¹，山下一郎³，寒川誠二^1,2,4 (東北大流体研¹，東北大WPI-AIMR²，奈良先端大³，JST-CREST⁴)

[30a-G20-12] 選択エッチングにより作製したGaAs/Air多層膜共振器構造の反射率面内分布 (12:00 PM ～ 12:15 AM)

^○小松秀士¹，中川義典^1,2，森田健¹，北田貴弘¹，井須俊郎¹ (徳島大院フロンティア¹，日亜化学²)

[30a-G20-13] ▲Enhancement of light extraction efficiency by evanescent wave coupling effect in AlGaInP light-emitting diodes (12:15 PM ～ 12:30 AM)

^○Guodong Hao，Xuelun Wang (産総研)

[30a-G20-14] 電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光学特性の評価 (12:30 PM ～ 12:45 AM)

^○熊崎祐介，渡部晃生，神保亮平，谷田部然治，佐藤威友 (北大量集セ)

[30a-G20-15] Geドープシリカ薄膜からの第二次高調波発生 (12:45 PM ～ 1:00 PM)

^○河村息吹，今北健二，藤井稔 (神戸大工)

セッション一覧

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.2 超薄膜・量子ナノ構造

[29a-PB6-1~13] 14.2 超薄膜・量子ナノ構造

[29a-PB6-1] ▲1.55μm帯量子ドット単一光子源のためのSiO2/a-Si微小共振器設計
Design of SiO2/a-Si micropillar cavities for 1.55-μm-band quantum-dot single-photon sources (9:30 AM ～ 11:30 AM)

[29a-PB6-2] フォトニックバンドギャップの存在下で自然放出が抑制された単一量子ドットの光学特性 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

[29a-PB6-3] 量子ドット発光制御のためのポリマー製フォトニックドットの検討 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

[29a-PB6-4] 量子ドットを用いた波長可変2波長レーザ (9:30 AM ～ 11:30 AM)

[29a-PB6-5] 面内超高密度InAs量子ドットの時間分解PL特性 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

[29a-PB6-6] MOVPEを用いたGaN/AlN共鳴トンネルダイオードの作製 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

[29a-PB6-7] Si/CaF₂共鳴トンネル構造を用いた抵抗スイッチング素子の作製 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

[29a-PB6-8] CoSi₂上CaF₂/CdF₂/Si量子井戸構造を用いたクロスポイント型抵抗スイッチング素子の保持特性評価 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

[29a-PB6-9] Si/CaF₂/CdF₂共鳴トンネル量子井戸構造の抵抗スイッチング特性 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

[29a-PB6-10] Ge基板上弗化物RTDのための積層構造の検討 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

[29a-PB6-11] SrF₂層導入による低リーク弗化物共鳴トンネル構造 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

[29a-PB6-12] 積層InGaAs/AlAs/InAlAs結合量子井戸の伝導体バンド構造 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

[29a-PB6-13] δドープInP/InAs/InPコアシェルナノワイヤにおける電子スピン伝導の評価 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

[30a-G20-1~15] 14.2 超薄膜・量子ナノ構造

[30a-G20-1] メンブレン電気機械振動子を用いたフォノニック導波路 (9:00 AM ～ 9:15 AM)

[30a-G20-2] GaAs微小機械共振器間のパラメトリック強結合 (9:15 AM ～ 9:30 AM)

[30a-G20-3] GaAs量子井戸における正孔スピン重ね合わせ状態のダイナミクス評価 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

[30a-G20-4] InGaAs系結合量子井戸のフォトリフレクタンス評価 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

[30a-G20-5] ▼Silicon Nanodisk Intermediate Band Solar Cell (10:00 AM ～ 10:15 AM)

[30a-G20-6] Ar:Cl₂ mixture ratio study on Neutral Beam etching of GaAs (10:15 AM ～ 10:30 AM)

[30a-G20-7] △バイオテンプレート極限加工による直径制御GaAsナノディスクの作製とその発光特性 (10:30 AM ～ 10:45 AM)