一般セッション(口頭講演)

[28a-G22-1~13] 15.6 IV族系化合物

2013年3月28日(木) 09:00 〜 12:30 G22 (B5号館 4F-2406)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[28a-G22-1] SiCr系溶媒を用いた2インチ4H-SiCバルク成長 (9:00 AM ～ 9:15 AM)

^○三谷武志^1,2，小松直佳¹，岡村雅之²，高橋徹夫^1,2，加藤智久^1,2，蔵重和央^1,3，宇治原徹⁴，松本祐司⁵，奥村元^1,2 (FUPET¹，産総研²，日立化成³，名古屋大⁴，東工大⁵)

[28a-G22-2] △干渉縞を利用した溶融合金へのSiC溶解時の高温界面リアルタイム観察 (9:15 AM ～ 9:30 AM)

^○川西咲子¹，吉川健¹，森田一樹¹，鈴木寛²，坂元秀光² (東大生研¹，トヨタ自動車²)

[28a-G22-3] 4H-SiC溶液成長過程における貫通らせん転位変換により形成する欠陥の微細構造 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○原田俊太¹，國松亮太¹，田川美穂¹，山本悠太²，荒井重勇²，田中信夫²，宇治原徹¹ (名大院工¹，名大エコ研²)

[28a-G22-4] ▲SiC溶液成長において流速の変化が表面モフォロジーに与える影響 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○朱燦¹，原田俊太¹，関和明¹，田川美穂¹，松本祐司²，加藤智久^3,4，蔵重和央^4,5，奥村元^3,4，宇治原徹¹ (名大院工¹，東工大応セラ研²，産総研³，FUPET⁴，日立化成⁵)

[28a-G22-5] ｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
3C-SiC 溶液成長における多形制御と欠陥抑制 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○関和明，山本翔太，原田俊太，宇治原徹 (名大院工)

[28a-G22-6] MSE成長後に形成される表面モフォロジーと転位欠陥 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○浜田信吉，吉岡久，川見浩，中村信彦，瀬戸口佳孝，松浪徹 (エコトロン)

[28a-G22-7] MSEにおける転位変換メカニズム (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○浜田信吉，吉岡久，川見浩，中村信彦，瀬戸口佳孝，松浪徹 (エコトロン)

[28a-G22-7.1] 休憩(15分)

[28a-G22-8] 4H-SiC(0001)Si面上ホモエピタキシャル成長のオフ角依存性 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○田村謙太郎^1,3，工藤千秋^1,4，升本恵子^1,2，児島一聡^1,2 (ＦＵＰＥＴ¹，産総研²，ローム³，パナソニック⁴)

[28a-G22-9] △4H-SiC Si面微傾斜基板のin-situエッチング条件の検討 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○升本恵子^1,2，児島一聡^1,2，伊藤佐千子^1,2，田村謙太郎^1,3，奥村元^1,2 (FUPET¹，産総研²，ローム³)

[28a-G22-10] ECRスパッタ法による(000-1)4H-SiC MOS構造の作製 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○脇英司，小野修一，新井学，山崎王義 (新日本無線)

[28a-G22-11] Al₂O₃/SiC MOS界面における伝導帯端近傍の界面特性 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○田岡紀之，坂下満男，中塚理，財満鎭明 (名大院工)

[28a-G22-12] SiC-MOSFETのV_TH instability評価 (12:00 PM ～ 12:15 AM)

^○先崎純寿^1,2，下里淳²，児島一聡^1,2，原田信介^1,2，有吉恵子¹，小島貴仁¹，田中保宣^1,2，奥村元^1,2 (ＦＵＰＥＴ¹，産総研²)

[28a-G22-13] 4H-SiC熱酸化膜におけるFTIR-ATRピーク位置の膜厚依存変化とその因子 (12:15 PM ～ 12:30 AM)

^○平井悠久¹，喜多浩之^1,2 (東大院工¹，JST　さきがけ²)

一般セッション(口頭講演)

[28p-G22-1~19] 15.6 IV族系化合物

2013年3月28日(木) 13:45 〜 18:45 G22 (B5号館 4F-2406)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[28p-G22-0] 昼食(75分)

[28p-G22-1] 犠牲酸化処理が熱酸化SiO₂/4H-SiC(0001)構造に及ぼす影響 (1:45 PM ～ 2:00 PM)

^○細井卓治¹，上西悠介¹，箕谷周平²，中野佑紀²，中村孝²，志村考功¹，渡部平司¹ (阪大院工¹，ローム²)

[28p-G22-2] ▼Impacts of hydrogen annealing induced mobile ions on thermal SiO₂/SiC interface property (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○（D）Atthawut Chanthaphan¹，箕谷周平²，中野佑紀²，中村孝²，細井卓治¹，志村考功¹，渡部平司¹ (阪大院工¹，ローム²)

[28p-G22-3] Al/Ti/Snを用いたp形4H-SiCへのオーミックコンタクトの低温形成 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○畑山紘太¹，山本圭介^2,3，王冬¹，中島寛² (九大・総理工¹，九大・産学セ²，学振特別研究員³)

[28p-G22-4] △表面活性化ボンディングによるn-Si/n-4H-SiCヘテロ接合の作製及び評価 (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○梁剣波，宮崎達也，西田将太，森本雅史，重川直輝 (大阪市立大)

[28p-G22-5] リン酸中レーザ照射を用いた4H-SiCへのリンのドーピング特性 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○池田晃裕，西紘史，丸井大地，池上浩，浅野種正 (九大シス情)

[28p-G22-6] ▼Enhanced Photoelectrochemical Properties of 3C-SiC by Pt co-catalysts (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○宋浚太，中峯嘉文，岩崎孝之，波多野睦子 (東工大院理工)

[28p-G22-7] △500°C動作SiC pnフォトダイオード (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○渡辺直樹，木本恒暢，須田淳 (京大院工)

[28p-G22-8] 空間変調型接合終端構造の導入による21 kV SiC BJTの実現 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○奥田貴史，三宅裕樹，木本恒暢，須田淳 (京大院工)

[28p-G22-9] p型4H-SiCラマン散乱におけるファノ干渉キャリア濃度依存性 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○三谷武志，友部健，中島信一，紀世陽，児島一聡，奥村元 (産総研)

[28p-G22-9.1] 休憩(15分)

[28p-G22-10] 電流検出ESRによるC面4H-SiC MOSFET界面欠陥の測定 (4:15 PM ～ 4:30 PM)

^○梅田享英¹，佐藤嘉洋¹，荒井亮¹，岡本光央²，原田信介²，小杉亮治²，奥村元²，牧野高紘³，大島武³ (筑波大数物¹，産総研²，原研³)

[28p-G22-11] 4H-SiCへのMgのイオン注入と注入層の評価 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○森根達也¹，村田耕司¹，飯田宏明¹，笠囲章史¹，松浦秀治¹，長町信治² (大阪電気通信大¹，イオンテクノセンター²)

[28p-G22-12] ラマン散乱測定および強度計算に基づく10H-SiC積層構造の決定 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○（M1C）友部健^1,2，三谷武志²，中島信一²，藤森裕基¹，富田卓朗³，桑原奈月³，西澤伸一²，奥村元² (日大文理¹，産総研²，徳島大³)

[28p-G22-13] △Z_1/2センターとSiC高エネルギー粒子検出器の電荷収集効率の関係 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○（PC）岩本直也¹，Brett Johnson¹，星乃紀博²，伊藤雅彦²，土田秀一²，児島一聡³，大島武¹ (原子力機構¹，電中研²，産総研³)

[28p-G22-14] SiCにおけるμ-PCD信号と過剰キャリア密度の相関 (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○加藤正史，森祐人，市村正也 (名工大)

[28p-G22-15] △反応性イオンエッチングを施した4H-SiC表面のμ-PCD法による評価 (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○森祐人，加藤正史，市村正也 (名工大)

[28p-G22-16] p型4H-SiC中の深い準位における捕獲断面積の温度依存性 (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○吉原一輝¹，加藤正史¹，市村正也¹，畑山智亮²，大島武³ (名工大¹，奈良先端科学技術大学院大²，日本原子力研究開発機構³)

[28p-G22-17] △DLTSおよびEPR測定による4H-SiC中のZ_1/2センターの起源同定 (6:00 PM ～ 6:15 PM)

^○川原洸太朗¹，T.nguyen Son²，須田淳¹，木本恒暢¹ (京大工¹，Linkoping Univ.²)

[28p-G22-18] △PLイメージングによるn型およびp型SiCの拡張欠陥評価 (6:15 PM ～ 6:30 PM)

^○河原知洋¹，須田淳²，木本恒暢² (京大工¹，京大院工²)

[28p-G22-19] △4H-SiC中の転位におけるフォトルミネッセンスの偏光特性 (6:30 PM ～ 6:45 PM)

^○平野梨伊^1,2，土田秀一³，田島道夫¹，伊藤公平²，前田康二⁴ (JAXA 宇宙研¹，慶大理工²，電中研³，東大工⁴)

一般セッション(ポスター講演)

[29p-PB4-1~25] 15.6 IV族系化合物

2013年3月29日(金) 13:30 〜 15:30 PB4 (第二体育館)

ポスター掲示時間13:30〜15:30(PB会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[29p-PB4-1] みなし150mmφ4H-SiC C面へのエピ膜成長 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○西尾譲司^1,2，工藤千秋^1,3，田村謙太郎^1,4，児島一聡^1,5，大野俊之^1,6 (FUPET¹，東芝　²，パナソニック³，ローム⁴，産総研⁵，日立製作所⁶)

[29p-PB4-2] ▲HRXRD分析による高Al濃度4H-SiC厚膜の結晶構造評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（PC）紀世陽¹，児島一聡¹，石田夕起¹，加藤智久¹，吉田貞史¹，土田秀一²，奥村元¹ (産業技術総合研究所¹，電力中央研究所²)

[29p-PB4-3] SiC中の螺旋転位の構造及び電子状態に関する理論的研究(II) (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○山崎隆浩¹，奈良純²，甲賀淳一朗³，宇田毅³，黒田明義⁴，南一生⁴，大野隆央^2,5 (富士通研¹，物材機構²，ASMS³，理研⁴，東大生研⁵)

[29p-PB4-4] △4H-SiC（0001）Si面上の局所的ステップバンチング発生原因の解析 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○佐々木雅之¹，田村謙太郎¹，迫秀樹¹，北畠真¹，児島一聡^1,2，松畑洋文^1,2 (フューペット¹，産総研²)

[29p-PB4-5] 二種類の波長を用いたSiC表面凹凸の定量的非接触評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○山田厚輔，江龍修 (名工大)

[29p-PB4-6] 捕獲電荷を考慮したSiO₂/SiC界面準位の評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○山田敬一¹，石山修¹，下里淳²，先崎純寿^1,2，松畑洋文^1,2，北畠真¹ (ＦＵＰＥＴ¹，産総研²)

[29p-PB4-7] CMPにて平坦化した4H-SiCエピ表面のゲート絶縁膜信頼性 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○山田敬一¹，石山修¹，田村謙太郎¹，山下任¹，下里淳²，加藤智久^1,2，先崎純寿^1,2，松畑洋文^1,2，北畠真¹ (ＦＵＰＥＴ¹，産総研²)

[29p-PB4-8] SiC熱酸化過程でのSiO₂膜におけるカーボンオキサイド拡散機構の理論的検討 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○秋山亨¹，中村浩次¹，伊藤智徳¹，影島博之²，植松真司³ (三重大院工¹，NTT物性基礎研²，慶大理工³)

[29p-PB4-9] 4H-SiCエピ膜中積層欠陥への熱酸化の影響について (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○宮野祐太郎，矢口裕之，土方泰斗，八木修平 (埼玉大工)

[29p-PB4-10] 4H-SiC熱酸化膜のUVおよび酸素ラジカル処理による改質 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○佐藤旦¹，黒木伸一郎¹，石川誠治^1,2，前田知徳^1,2，瀬崎洋^1,2，吉川公麿¹ (ナノデバイス¹，フェニテックセミコン²)

[29p-PB4-11] 大気圧熱プラズマジェット照射によるSiCウェハ中不純物の短時間活性化 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○芦原龍平，花房宏明，村上秀樹，林将平，小柳俊貴，丸山佳祐，東清一郎 (広大院先端研)

[29p-PB4-12] 4H-SiCSBD逆方向リーク電流の犠牲酸化による低減効果 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○石川誠治^1,2，前田知徳^1,2，瀬崎洋^1,2，黒木伸一郎¹，吉川公麿¹ (広島大ナノデバイス・バイオ融合科学研究所¹，フェニテックセミコンダクター²)

[29p-PB4-13] 4H-SiC MOSキャパシタにおける絶縁破壊電界のLETおよび膜厚依存性 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○出来真斗^1,2，牧野高紘¹，富田卓朗²，児島一聡³，大島武¹ (原子力機構¹，徳島大²，産総研³)

[29p-PB4-14] 室温近傍でのプラズマ酸化によるSiO₂/SiC界面でのC原子の偏析 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○齋藤直樹，今福亮斗，西川央明，佐野泰久，川合健太郎，打越純一，森田瑞穂，有馬健太 (阪大院工)

[29p-PB4-15] SiCパワーモジュール高温BiAgXダイアタッチメントの信頼性 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○谷本智^1,2，渡辺衣世¹，谷澤秀和^1,3，松井康平^1,4，佐藤伸二^1,3 (FUPET研究センター¹，日産自動車²，サンケン電気³，富士⁴)

[29p-PB4-16] SiCパワーモジュールのΔTj=165℃パワーサイクル試験 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○谷本智^1,2，渡辺衣世¹，谷澤秀和^1,3，佐藤伸二^1,3，松井康平^1,4 (FUPET研究センター¹，日産自動車²，サンケン電気³，富士電機⁴)

[29p-PB4-17] 部分的アモルファス化によるn+ 4H-SiC上のNiシリサイド・オーミック抵抗低減の研究 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（B）デシルワミランタ，黒木伸一郎，佐藤旦 (広島大)

[29p-PB4-18] P添加アモルファスSi結晶化層を介した金属とSiCのコンタクト特性 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○花房宏明，芦原龍平，丸山佳祐，水野翼，林将平，村上秀樹，東清一郎 (広大院先端研)

[29p-PB4-19] SiC-MOSFETへのCu電極適用 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○岡部博明，吉田基，富永貴亮，藤田淳，遠藤加寿代，横山吉典，西川和康，豊田吉彦，山川聡 (三菱電機)

[29p-PB4-20] △表面活性化ボンディング法によるSi/4H-SiC 接合のC-V 特性評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（B）西田将太¹，梁剣波¹，宮崎達也¹，森本雅史¹，重川直輝¹，新井学² (大阪市大工¹，新日本無線²)

[29p-PB4-21] 4H-SiCへの高ドーズAlイオン注入における注入条件の最適化 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○吉田謙一，長町信治 (イオンテクノセンター)

[29p-PB4-22] SiC表面に作製したナノ微細構造の解析 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○川口優作¹，永利一幸²，江龍修¹ (名工大院¹，フジミインコーポレーテッド²)

[29p-PB4-23] 4H-SiCエピタキシャル層中のショックレー型積層欠陥の構造評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○中村勇，清井明，田中貴規，山本茂久 (三菱電機)

[29p-PB4-24] CL像測定と蛍光寿命測定による4H-SiCの欠陥評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○清水智也¹，青山淳一¹，馬場洋樹¹，粟田正吾¹，中庸行¹，畑山智亮² (堀場製作所¹，奈良先端大²)

[29p-PB4-25] フェムト秒レーザー照射における6H-SiC基板の表面変質と透過光測定 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○宮川鈴衣奈，江龍修 (名工大院)

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