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17．ナノカーボン » 17.4 デバイス応用

一般セッション(口頭講演)

[28a-G10-1~11] 17.4 デバイス応用

2013年3月28日(木) 09:00 〜 12:00 G10 (B5号館 2F-2204)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[28a-G10-1] デュアルゲート構造とヘリウムイオン照射チャネルを有するグラフェントランジスタの極性可変動作 (9:00 AM ～ 9:15 AM)

^○中払周¹，飯島智彦²，小川真一³，塚越一仁⁴，佐藤信太郎¹，横山直樹¹ (産総研 GNC¹，産総研 ICAN²，産総研 NeRI³，物材機構 MANA⁴)

[28a-G10-2] △架橋二層グラフェントランジスタのイオン液体ゲート特性 (9:15 AM ～ 9:30 AM)

^○（DC）山城祐介，大野恭秀，前橋兼三，井上恒一，松本和彦 (阪大産研)

[28a-G10-3] Probing the role of the edge on electronic transport in bilayer graphene filed effect (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○水田博^1,2，Moktadir Zakaria¹，Hang Syuojin¹，斉藤慎一¹ (サザンプトン大¹，北陸先端大²)

[28a-G10-4] グラフェンへのダメージを軽減した歪み導入法の開発 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○友利ひかり^1,2，軽部大雅^1,2，大塚洋一¹，神田晶申^1,2 (筑波大物理¹，TIMS²)

[28a-G10-5] ▲電子デバイス応用に向けた酸化グラフェンと有機分子との複合化 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○Golap Kalita¹，脇田紘一²，梅野正義²，種村眞幸¹ (名工大¹，中部大²)

[28a-G10-6] 還元・構造修復に伴う酸化グラフェンフレーク間のキャリア伝導度向上 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○根岸良太¹，高坂成時¹，大野泰秀²，前橋謙三²，松本和彦²，小林慶裕¹ (阪大院工¹，阪大産研²)

[28a-G10-6.1] 休憩(15分)

[28a-G10-7] △アームチェアグラフェンナノリボン上へのガス分子吸着による電子状態と輸送特性の変化 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○（M2）井上真理¹，Tien Cuong Nguyen¹，Johari Zaharah²，Manoharan Muruganathan¹，Moktadir Zakaria³，Hieu Chi Dam¹，Chong Harold³，水田博^1,3 (北陸先端科学技術大学院大¹，マレーシア工科大²，サザンプトン大³)

[28a-G10-8] フッ化グラフェンFETの温度特性 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○田原康佐，岩崎孝之，古山聡子，松谷晃宏，波多野睦子 (東工大)

[28a-G10-9] イオン液体ゲートを用いたフッ化グラフェン電界効果トランジスタ (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○古山聡子，田原康佐，岩崎孝之，松谷晃宏，波多野睦子 (東工大)

[28a-G10-10] △3次元LSI配線のための層数確定多層グラフェンの電気抵抗測定 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○伊藤和幸¹，片桐雅之²，酒井忠司²，粟野祐二¹ (慶大¹，超低電圧デバイス技術研究組合²)

[28a-G10-11] 多層グラフェン配線における電気伝導と低抵抗化 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○宮崎久生¹，片桐雅之¹，山崎雄一¹，鈴木真理子¹，佐久間尚志¹，小杉諒佑²，今関兼也²，上野和良²，梶田明広¹，酒井忠司¹ (超低電圧デバ技研組合¹，芝浦工大²)

一般セッション(口頭講演)

[29a-G12-1~11] 17.4 デバイス応用

2013年3月29日(金) 09:00 〜 12:00 G12 (B5号館 2F-2206)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[29a-G12-1] △ペロブスカイト型材料を被膜した単層カーボンナノチューブによる極微量酸素ガスの検知 (9:00 AM ～ 9:15 AM)

^○（M1）福田洋志¹，松下八土史¹，田畑博史¹，久保理¹，菊池勉²，佐藤哲也²，上村隆裕²，上田剛³，嶋嵜僚太郎³，丹上博雅³，片山光浩¹，堀内雅司³ (阪大院工¹，大陽日酸²，新コスモス電機³)

[29a-G12-2] 半導体SWNT薄膜のNO2ガスに対する高感度応答メカニズム (9:15 AM ～ 9:30 AM)

^○田畑博史¹，鈴木雄登¹，野本龍一¹，松竹直斗¹，平知明¹，久保理¹，片山光浩¹，上田剛²，嶋嵜僚太郎²，丹上博雅²，堀内雅司² (阪大院工¹，新コスモス電機²)

[29a-G12-3] △導電性AFMによるCNT/SiC界面の接触抵抗評価 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○渋谷恵¹，稲葉優文¹，大原一慶¹，落合拓海¹，増田佳穂²，平岩篤¹，楠美智子²，川原田洋¹ (早大¹，名大²)

[29a-G12-4] △長尺高密度カーボンナノチューブ・フォレストをチャネルに用いた大電流制御可能な電解質ゲートFET (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○明道三穂¹，大原一慶¹，稲葉優文¹，大橋俊之²，加藤良吾²，川原田洋¹ (早大¹，本田技術研究所²)

[29a-G12-5] カーボンナノチューブ複合紙を用いた電磁波シールドの新構造設計と評価 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○（B）李搏决，伊藤我子，樋渡寛信，大矢剛嗣 (横国大工)

[29a-G12-5.1] 休憩(15分)

[29a-G12-6] カーボンナノチューブ複合紙の熱的応用性の開拓 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○（B）秋場誠，大矢剛嗣 (横国大工)

[29a-G12-7] 生体親和型カーボンナノチューブデバイスの試作 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○望月太貴¹，加藤拓也¹，平田孝道^1,2，野崎智洋³，秋谷昌宏^1,2 (東京都市大院工¹，カーボンデバイス研²，東工大院³)

[29a-G12-8] △Si層を有する積層型カーボンナノチューブメモリ (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○清家康平，藤井雄介，上村崇史，大野恭秀，前橋兼三，井上恒一，松本和彦 (大阪大産研)

[29a-G12-9] 20 nm以下の単層カーボンナノチューブFETコトンネリング特性 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○上村崇史^1,2，松本和彦^1,2 (阪大　産研¹，CREST-JST²)

[29a-G12-10] 300mmウェハ対応ナノカーボン合成プロセス開発（2） (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○西出大亮，松本貴士，伊東伴，山崎雄一，加賀谷宗仁，和田真，齋藤達朗，北村政幸，渡邉勝仁，佐久間尚志，梶田明広，酒井忠司 (LEAP)

[29a-G12-11] 液相ろ過・転写によるプラスチック基板上へのナノチューブ配線の形成 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○深谷徳宏¹，片岡佑介³，金東榮²，長谷川馨²，岸本茂¹，水谷孝¹，野田優^2,3，大野雄高¹ (名大工¹，早大先進理工²，東大工³)

一般セッション(口頭講演)

[29p-G10-19~23] 17.4 デバイス応用

2013年3月29日(金) 17:45 〜 19:00 G10 (B5号館 2F-2204)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[29p-G10-19] サイドゲート電極付CNT電子源の開発 (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○新田翔吾，岡脇周平，阿保智，若家冨士男，高井幹夫 (阪大極限センター)

[29p-G10-20] 半導体単層カーボンナノチューブ/Siヘテロ接合型太陽電池のガス雰囲気効果 (6:00 PM ～ 6:15 PM)

庄司真雄¹，中野陸²，^○緒方啓典^1,2 (法政大院¹，法政大生命²)

[29p-G10-21] △Csプラズマ照射による単層カーボンナノチューブ薄膜pn接合ダイオードの創製 (6:15 PM ～ 6:30 PM)

^○安彦嘉浩，加藤俊顕，畠山力三，金子俊郎 (東北大院工)

[29p-G10-22] Photovoltaic properties of carbon p-i-n solar cell by microwave surface wave plasma CVDマイクロ波CVDによるカーボンp-i-n太陽電池の光起電力特性 (6:30 PM ～ 6:45 PM)

^○梅野正義¹，チャンドラディリプ¹，スディープアディカリ¹，内田秀雄²，脇田紘一³ (中部大¹，中部大²，中部大³)

[29p-G10-23] カーボン2接合タンデム太陽電池 (6:45 PM ～ 7:00 PM)

^○（PC）Sudip Adhikari，ディリプギミレ，内田秀雄，脇田紘一，梅野正義 (中部大)