[27P-PB3-1~6] 10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス

[27P-PB3-4] GaAs/ZnMnSe結合量子井戸における電子スピン注入の励起キャリア密度依存性 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○久野祐希¹，佐々木義¹，木場隆之¹，Alexey Toropov²，Sergey Ivanov²，村山明宏¹ (北大院情報科学¹，Ioffe Inst.²)

キーワード：ヘテロバレント構造、量子井戸