[27a-A6-1~11] 6.2 カーボン系薄膜

[27a-A6-6] △分子線エピタキシー( M B E )法による部分酸素終端ダイヤモンド表面上へのA l N エピタキシャル成長 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○袴田知宏，横山悠樹，小野和子，平岩篤，川原田洋 (早大理工)

キーワード：AlN、MBE