[27a-G12-1~11] 17.2 構造制御・プロセス

[27a-G12-9] グラフェン／ＳｉＣ（0001）の水素処理と真空中加熱過程 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○前田文彦¹，田邉真一¹，磯部真吾^{1, 2}，日比野浩樹¹ (ＮＴＴ物性基礎研¹，長岡技科大²)

キーワード：グラフェン、シリコンカーバイド、水素処理