[27a-PA7-1~27] 14.4 光物性・発光デバイス

[27a-PA7-2] 蛍光XAFS法による選択成長Eu添加GaN中のEuイオン周辺局所構造解析 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○大渕博宣¹，長谷川亮介²，李東建²，若松龍太²，松野孝則²，小泉淳²，本間徹生¹，藤原康文² (JASRI/SPring-8¹，阪大²)

キーワード：XAFS、GaN、Eu