[27a-PB3-1~7] 6.4 薄膜新材料

[27a-PB3-4] Si(100)基板上の複合面方位CeO₂層の形成 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○井上知泰，信田重成 (いわき明星大科学技術)

キーワード：方位選択エピタキシャル成長、複合面方位、反応性スパッタリング