[27p-A7-1~17] 8.3 プラズマ成膜･表面処理

[27p-A7-10] SiH₄＋N₂ガスを用いたVHF-PECVD法によるSiN_xの膜構造 (4:00 PM ～ 4:15 PM)

^○小林信一 (東京工芸大工)

キーワード：窒化シリコン膜、化学的気相成長、プラズマ成膜