[27p-F1-1~14] 6.5 表面物理・真空

[27p-F1-4] Si(110)表面へのGe蒸着による新規低次元ナノ構造形成 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○（P）横山有太¹，魚住雄輝²，朝岡秀人^1,2 (原子力機構先端基礎¹，原子力機構量子ビーム²)

キーワード：ナノ構造、表面再構成、半導体