[27p-F2-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[27p-F2-9] Sr₃Al₂O₆バッファ層を用いたNd_0.5Sr_0.5MnO₃薄膜の格子歪み制御 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○疋田育之¹，呂頔²，佐藤弘樹^1,3，ボンジュ キム²，矢嶋赳彬⁴，クリストファー ベル¹，ハロルド ファン^1,2 (SLAC国立加速器研究所¹，スタンフォード大²，東大新領域³，東大院工⁴)

キーワード：buffer layer、epitaxial strain、manganites