[27p-G22-1~10] SiCパワーエレクトロニクス技術の最前線　-広範な実用化を展望し、残された課題を探る-

[27p-G22-2] SiC単結晶基板の開発動向（30分） (1:15 PM ～ 1:45 PM)

^○藤本辰雄 (新日鐵住金)

キーワード：炭化ケイ素、転位欠陥