[27p-G22-1~10] SiCパワーエレクトロニクス技術の最前線　-広範な実用化を展望し、残された課題を探る-

[27p-G22-3] SiCエピタキシャルウェハの生産技術開発（30分） (1:45 PM ～ 2:15 PM)

^○佐藤貴幸 (昭和電工)

キーワード：SiC、エピタキシャルウェハ、パワー半導体