[27p-G22-1~10] SiCパワーエレクトロニクス技術の最前線　-広範な実用化を展望し、残された課題を探る-

[27p-G22-4] 低オン抵抗SiCトレンチパワーMOSFETの開発（30分） (2:15 PM ～ 2:45 PM)

^○中村孝，中野佑紀，花田俊雄 (ローム)

キーワード：SiC、パワーデバイス