[27p-G4-1~11] GaN系材料表面・界面評価の進展 -基礎物性から出発するデバイス性能向上へのアプローチ-

[27p-G4-4] Ⅲ族窒化物およびⅢ-Ⅴ族化合物半導体中のプラズマ照射誘起欠陥（30分） (2:45 PM ～ 3:15 PM)

^○奥村次徳，中村成志 (首都大理工)

キーワード：プラズマ照射誘起欠陥、Ⅲ族窒化物半導体、化合物半導体