[27p-G4-1~11] GaN系材料表面・界面評価の進展 -基礎物性から出発するデバイス性能向上へのアプローチ-

[27p-G4-6] InAlN/GaN ヘテロ構造の表面・界面の評価と制御（30分） (4:00 PM ～ 4:30 PM)

^○赤澤正道¹，橋詰保^1,2 (北大量集センター¹，JST-CREST²)

キーワード：InAlN、表面、界面