2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会

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シンポジウム

シンポジウム » ・GaN系材料表面・界面評価の進展 -基礎物性から出発するデバイス性能向上へのアプローチ-

[27p-G4-1~11] GaN系材料表面・界面評価の進展 -基礎物性から出発するデバイス性能向上へのアプローチ-

2013年3月27日(水) 13:40 〜 17:45 G4 (B5号館 1F-2104)

[27p-G4-7] プラズマ照射によるn型GaNの電気特性劣化のガス種依存性 (4:30 PM ~ 4:45 PM)

本郷直樹,瀧本拓真,中村成志,奥村次徳 (首都大理工)

キーワード:GaN、plasma、defect