[27p-G4-1~11] GaN系材料表面・界面評価の進展 -基礎物性から出発するデバイス性能向上へのアプローチ-

[27p-G4-9] ECRスパッタ法SiN保護膜を用いたGaN HEMTのコラプス改善 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○水江千帆子，市川弘之，井上和孝 (住友電工　伝送デバイス研)

キーワード：GaN HEMT、SiN、電流コラプス