[27p-PA4-1~17] 8. プラズマエレクトロニクス

[27p-PA4-11] 水素ラジカルによる遷移金属の選択加熱現象を利用した多結晶Si形成技術とデバイスへの応用 (1:30 PM ～ 3:30 PM) (8.6)

^○中家大希¹，荒井哲司¹，大平隆裕¹，有元圭介¹，山中淳二¹，佐藤哲也¹，中川清和¹，高松利行²，澤野憲太郎³，白木靖寛³ (山梨大¹，SST²，東京都市大³)

キーワード：水素ラジカル、選択加熱、多結晶Si