[27p-PB4-1~16] 13.5 Siプロセス技術

[27p-PB4-12] S導入したNiGe/GeとNiSi/Siのショットキーバリアハイト変調の比較検討 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○小池正浩，上牟田雄一，手塚勉 (産総研GNC)

キーワード：半導体、硫黄、ショットキー