[27p-PB4-1~16] 13.5 Siプロセス技術

[27p-PB4-14] Pを導入したNiSi₂/n-Geに硬X線光電子分光を用いたバンド曲がりの観測 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○吉原亮¹，田村雄太¹，角嶋邦之²，アヘメト パールハット¹，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，筒井一生²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²)

キーワード：硬X線光電子分光