[27p-PB5-1~13] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[27p-PB5-3] △酸化濃縮法Ge-On-Insulator層の薄膜化がMOS界面正孔移動度に与える効果 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○忻宇飛¹，金栄現¹，Rui Zhang¹，長田剛規²，秦雅彦²，横山正史¹，竹中充¹，高木信一¹ (東大¹，住友化学²)

キーワード：酸化濃縮、ホール移動度