[27p-PB5-1~13] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[27p-PB5-5] Junction-less InGaAs-OI Tri-gate nMOSFETsにおける高移動度実現 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○入沢寿史¹，小田穣¹，守山佳彦¹，池田圭司¹，三枝栄子¹，Wipakorn Jevasuwan¹，前田辰朗¹，市川麿²，石原敏雄²，秦雅彦²，手塚勉² (産総研GNC¹，住友化学²)

キーワード：InGaAs、Tri-gate、MOSFET