[28a-A3-1~9] 16.1 基礎物性・評価

[28a-A3-9] Niナノドットによる初期核発生制御を活用した高結晶性Si:H/Ge:Hヘテロ構造の低温堆積 (12:15 PM ～ 12:30 AM)

^○（M1）盧義敏¹，高金¹，牧原克典¹，酒池耕平²，藤田悠二²，池田弥央²，大田晃生²，東清一郎²，宮崎誠一¹ (名大院工¹，広大院先端研²)

キーワード：半導体