[28a-G10-1~11] 17.4 デバイス応用

[28a-G10-8] フッ化グラフェンFETの温度特性 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○田原康佐，岩崎孝之，古山聡子，松谷晃宏，波多野睦子 (東工大)

キーワード：グラフェン、フッ化