[28a-G2-1] △硝酸酸化(NAOS)法によるSiO2薄膜の改質:恒久保存メモリへの応用 (10:00 AM ～ 10:15 AM)
キーワード：二酸化シリコン、保護膜
講演情報
一般セッション(口頭講演)
13．半導体A（シリコン） » 13.3 絶縁膜技術
[28a-G2-1~12] 13.3 絶縁膜技術
2013年3月28日(木) 10:00 〜 13:15 G2 (B5号館 1F-2102)
一般セッション(口頭講演)
13．半導体A（シリコン） » 13.3 絶縁膜技術
2013年3月28日(木) 10:00 〜 13:15 G2 (B5号館 1F-2102)
キーワード：二酸化シリコン、保護膜