[28a-G2-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[28a-G2-12] GaSb MOS界面特性に与えるGaSb酸化物の影響 (1:00 PM ～ 1:15 PM)

^○（PC）横山正史¹，朝倉佑吏¹，横山春喜²，竹中充¹，高木信一¹ (東大工¹，NTTフォトニクス研²)

キーワード：GaSb、半導体、MOS界面