[28a-G2-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[28a-G2-3] Si(100)上界面遷移層内Si化学結合状態のARPESによる評価手法 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○諏訪智之¹，寺本章伸¹，室隆桂之²，木下豊彦²，大見忠弘¹，服部健雄¹ (東北大¹，JASRI²)

キーワード：界面構造、光電子分光