[28a-G20-1~10] 半導体量子ドット成長技術・物性評価の最前線

[28a-G20-3] InP(001)微傾斜基板上におけるInAs量子ドット形成 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○赤羽浩一，山本直克 (情通機構)

キーワード：量子ドット、微傾斜基板