[28a-G20-1~10] 半導体量子ドット成長技術・物性評価の最前線

[28a-G20-4] MOCVD法によるGaP基板上GaInAs量子ドットの形成と発光評価 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○（M1）星野文哉，宮本智之，古川聖紘 (東工大精研)

キーワード：エピタキシャル成長、MOCVD、量子ドット