[28a-G20-1~10] 半導体量子ドット成長技術・物性評価の最前線

[28a-G20-5] InGaAsキャップ層の膜厚制御によるInAs量子ドット発光波長の変化 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○下村憲一，神谷格 (豊田工大)

キーワード：InAs量子ドット、Photoluminescence