[28a-G20-1~10] 半導体量子ドット成長技術・物性評価の最前線

[28a-G20-7] 近赤外広帯域光源を目指したInAs量子ドットLDの発光特性 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○沢渡義規¹，吉沢勝美¹，赤羽浩一²，山本直克² (パイオニアマイクロテクノロジー¹，情報通信研究機構²)

キーワード：近赤外、量子ドット、レーザ