[28a-G21-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[28a-G21-2] 放射光X線によるNaフラックス法GaN単結晶基板の結晶性評価 (9:15 AM ～ 9:30 AM)

^○下田麻由¹，澤田沙希¹，尾上貴洋¹，硲和輝¹，津坂佳幸¹，高野秀和¹，篭島靖¹，野瀬惣市²，竹田晋吾²，今出完³，横山和司²，松井純爾²，丸山美帆子³，吉村政志³，森勇介³ (兵庫県立大院物質理¹，兵庫県放射光ナノテク研²，大阪大院工³)

キーワード：GaN、Naフラックス法