[28a-G6-1~11] 13.5 Siプロセス技術

[28a-G6-11] △High-k/In_0.53Ga_0.47As界面層が反転層電子移動度に与える影響 (12:30 PM ～ 12:45 AM)

^○小田穣¹，入沢寿史¹，上牟田雄一¹，Wipakorn Jevasuwan¹，前田辰郎¹，市川磨²，手塚勉¹ (産総研¹，住化筑波研²)

キーワード：InGaAs、移動度、high-k