[28a-G6-1~11] 13.5 Siプロセス技術

[28a-G6-9] バックエンド集積化に向けたポリイミド上InGaAs-nMISFET (12:00 PM ～ 12:15 AM)

^○前田辰郎¹，石井裕之¹，板谷太郎¹，Wipakorn Jevasuwan¹，安田哲二¹，市川磨²，秦雅彦² (産総研¹，住友化学²)

キーワード：InGaAs、ポリイミド、BEOL