[28p-A1-1~19] 3.7 近接場光学

[28p-A1-10] ファイバプローブとの近接場相互作用により誘起されたGaAs 量子リングの電気双極子禁制遷移からの発光 (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○八井崇¹，野村航¹，間野高明²，宮崎英樹²，迫田和彰²，川添忠¹，大津元一¹ (東大院工¹，物材機構²)

キーワード：量子リング、近接場相互作用