[28p-B9-1~10] 9.3 ナノエレクトロニクス

[28p-B9-2] △GaAs ナノワイヤ3 分岐接合デバイスの表面状態と非線形特性の関連性についての検討 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○佐藤将来，葛西誠也 (北大)

キーワード：ナノワイヤ3分岐接合デバイス、非線形特性、GaAs