[28p-B9-1~10] 9.3 ナノエレクトロニクス

[28p-B9-4] 単分子接合の磁気抵抗効果：結合部依存性 (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○金松東成，山田亮，夛田博一 (阪大院基礎工)

キーワード：単分子エレクトロニクス、磁気抵抗効果