[28p-C1-1~20] 4.2 フォトニックナノ構造・現象

[28p-C1-15] 分子線エピタキシー法によるフォトニック結晶 ―埋め込み成長時の空気孔形状変化― (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○西本昌哉¹，前川亨平¹，石崎賢司¹，北村恭子²，野田進¹ (京大院工¹，京大白眉²)

キーワード：半導体レーザ、MBE、フォトニック結晶