[28p-D3-1~17] 6.1 強誘電体薄膜

[28p-D3-6] 繰り返し電界印加によるMEMS用Pb(Zr,Ti)O₃膜の特性評価 (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○和田亜由美¹，江原祥隆¹，安井伸太郎¹，中島光雅¹，及川貴弘¹，小林健²，森岡仁³，舟窪浩¹ (東工大¹，産総研²，ブルカー・エイエックスエス³)

キーワード：圧電体、MEMS、PZT